项目背景:IC设计产业园项目位于成都高新区成灌高速与天润路和顺路口。项目东临电子科技大学清水河校区，南临学府海棠、阳光保险及龙湖时代天街，北临成灌高速与Intel园区，距北侧地铁6号线“红高路地铁站”约1.5公里，园区附近规划有地铁12号线“电子科大站”。项目净用地面积85.9亩，总建筑面积22万平方米，为IC设计、5G通信、物联网、功率半导体、人工智能等企业提供生产、生活配套。IC设计产业园项目势必要打造目前高新西区同质市场中，产业结构优质、商务功能齐全、市场配套完善的现代化开放式产业园区。在遵循“交通优先、功能分区、突出产业、公共空间”的基础上，与IC设计社区综合体配套体现差异化，将商务和生活区分开，故将园区分为电子信息大楼(芯、屏、端、网等配套)、IC设计大厦(IC设计孵化器、加速器、其他配套)、核心区商务配套(健身、商务洽谈等)、企业总部基地、综合配套大楼、美食休闲商业街区六大板块。

解决方案:我们提取字母“iC”并着重设计，以更好的体现行业特性，外框的元素取自芯片的外形。“iC”的“i”我们选择小写的表现形式，让它更具有独特性和识别性，同时也形成了“汇聚”的“汇”字。字体表现采用集成电路的形式进行设计，同时用像素化来体现数字信息化，二者相结合在整体的风格上呈现科技、未来、年轻、活力的视觉感受。